Introdução

In this section one should give a brief description of what are the objects in study and why this study is important

Objetivos

Pretende-se realizar estudos teóricos por cálculos de primeiros princípios dentro do formalismo da Teoria do Funcional Densidade (TFD) e experimentais, utilizando principalmente a espectroscopia CAP, dos materiais semicondutores TlBr e BiI\(_3\). Pretende-se medir o gradiente de campo elétrico no sítio dos cátions e correlacionar estes resultados com o comportamento das propriedades características de cada composto e tentar entender os mecanismos microscópicos que dão origem a estes fenômenos. 
More specifically, this project implies
  1. Estabelecer o método de Bridgman como meio de produzir monocristais junto ao LIH
  2. Produzir monocristais de TlBr e de BiI3 de ótima qualidade
  3. Caracterizar os monocristais quanto a sua estrutura cristalina, resistividade e morfologia
  4. Medir o gradiente de campo elétrico nos núcleos de prova \(^{111}\)Cd e\(^{77}\)Br
  5. Obter cálculos de primeiros princípios dos parâmetros hiperfinos e comparar com os resultados experimentais

Materials and Methods

Description of Composites

TlBr tem um número atômico médio alto (ZTl=81 e ZBr=35), densidade alta (7,5 g/cm3), resistividade alta (1012 Ωcm) e energia de banda proibida de 2,7 eV. Cristaliza-se em uma estrutura cristalina cúbica simples, apresentando parâmetro de rede de 3,97 angstrons, e funde-se à 480ºC. A energia da banda proibida relativamente larga tem permitido que detectores de TlBr operem em temperatura ambiente com baixa corrente de fuga [7,9] e baixo ruído eletrônico [4,6,7,9] apresentando considerável resolução para Raios –X e gama.

BiI\(_3\)

dlkfjdjfodgj

bjfggohog